該芯片表面的清洗方法依次包括以下步驟：

預清洗：用去離子水利用超聲波清洗機對芯片進行預清洗，去離子水的溫度為50～60度，具體地，該超聲波的功率為30W，頻率為50KHz。

堿洗：芯片置于堿性溶液中利用超聲波進行清洗，堿性溶液的溫度為80～90度，較佳地，該堿性溶液可為氫氧化鈉溶液，濃度為2％～5％，清洗時間為5～10分鐘，在此步驟中，氫氧化鈉溶液的溫度不宜過高，如20～25度為佳。超聲波的功率為20W，頻率為40KHz。

有機溶劑清洗：芯片置于異丙醇和水的混合液中利用超聲波進行清洗，時間為5～10分鐘，超聲波的功率在20～30W，頻率為40KHz～50KHz。該步驟可有效溶劑去除芯片表面的有機殘留物。

酸洗：配制檸檬酸和去離子水的混合液，混合液的pH值為5～6。芯片被置于到該酸性溶液中，借助超聲波振蕩清洗技術，使芯片表面快速進行中和反應。

去離子水漂洗：用去離子水漂洗該芯片，漂洗時間為20～30分鐘，經過漂洗，芯片表面的酸液、堿液等清洗液殘留被漂洗干凈。

碳氫清洗：在上一步的去離子水中加入碳氫溶劑，繼而排除去離子水。

熱焓干燥：將芯片從清洗溶液中取出并進行熱焓干燥，該工序利用溫度壓力的變化，降低芯片上的焓值，使殘留液快速蒸發。